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FDD86102LZ

更新时间:2025-05-21 13:34:28

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1. 表示供应商具有较高市场知名度，口碑良好，缴纳了保证金，经维库认证中心严格审查。
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Fairchild Semiconductor FET - 单

MOSFET N-CH 100V 8A DPAK

封装:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63

FDD86102LZ 概述

FDD86102LZ是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款N沟道增强型MOSFET。该器件采用Power56封装，具有低导通电阻特性，在4.5V栅极驱动下最大导通电阻仅为3.5mΩ（典型值），这有助于减少导通损耗并提高系统效率。该MOSFET适用于多种应用场合，如电源管理电路、同步整流、DC - DC转换器等。在电源管理系统中可用作高效开关管；在同步整流应用中，其快速开关特性和低导通损耗能显著提升整体转换效率；在DC - DC转换器里可以稳定可靠地工作，确保电压转换的高效性。使用时要注意遵循正确的驱动电压范围以保证MOSFET正常开启和关断，并且合理设计散热以避免过热损坏。

FDD86102LZ 规格参数

标准包装
2,500
类别
分离式半导体产品
家庭
FET - 单
系列
PowerTrench®
FET 型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
8A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
22.5 毫欧 @ 8A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
3V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
26nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
1540pF @ 50V
功率 - 最大
3.1W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商设备封装
TO-252，（D-Pak）
包装
带卷 (TR)
其它名称
FDD86102LZ-NDFDD86102LZFSTR

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