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Silicon PIN Photodiode
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光电二极管
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60 V
30 nA
950 nm
100 ns
100 ns
65 deg
Side Looker
2 nA
+ 100 C
- 40 C
Through Hole
4E-14 W/sqrt Hz
Bulk
45 uA
215 mW
4000
体反射回来的红外光被vdl接收，便lc1的8脚由高电平变为低电平，vl2点亮，kn通电工作，高压电极上产生高压将老鼠击毙。当清除死鼠(应切断电源)后，vdl又截止，ic1的3脚失去输入信号，8脚变为高电平，vl2熄灭，kn和高压电路停止工作，电路又恢复守候状态。 元器件选择 rl-r6选用1/4w金属膜电阻器或碳膜电阻器;r7选用2w金属膜电阻器。 cl-c4均选用独石电容器;c5选用耐压值为25v的铝电解电容器;c6和c7均选用耐压值为i0oov的cbb电容器。 vdl选用ph302或bpw82型红外光敏二极管;vd2和vd3均选用1n4007型硅整流二极管。 vll选用ir333或se303等型号的红外发光二极管;vl2选用φ5mm的普通发光二极管。 v选用s9013或3dg9013型硅npn晶体管。 icl选用lm567或ne567型集成电路;ic2选用lm7806型三端稳压集成电路。 kn选用sp21o或jgx-2f型固态继电器。 高压电极可使用较细的裸金属线或敷铜板制作而成。
外光被vd1接收，使ic1的8脚由高电平变为低电平，vl2点亮，kn通电工作，高压电极上产生高压将老鼠击毙。当清除死鼠（应切断电源）后，vd1叉截止，ic1的3脚失去输人信号，8脚变为高电平，vl2熄灭，kn和高压电路停止工作，电路叉恢复守候状态。 元器件选择 r1～r6选用1／4w金属膜电阻器或碳膜电阻器；r7选用2w金属膜电阻器。 c1～4均选用独石电容器；c5选用耐压值为25v的铝电解电容器；c6和c7均选用耐压值为1000v的cbb电容器。 vd1选用ph302或bpw82型红外光敏二极管；vd2和vd3均选用1n4007型硅整流二极管。 vl1选用ir333或se303等型号的红外发光二极管；vl2选用φ5mm的普通发光二极管。 v选用59013或3dc9013型硅npn晶体管。 ic1选用lm567或ne567型集成电路：ic2选用lm7806型三端稳压集成电路。 kn选用sp2110或．igx-2f型固态继电器。 高压电极可使用较细的裸金属线或敷铜板制作而成。
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